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Product Details

WFD18H-EDB

共晶固晶一体机

设备优势

精准贴装: ±3μm 的位置精度;

精准控温: 共晶台最高温度可达450℃,快速升温50-80℃/S,实时监控,动态补偿,不过冲;

精准力控: 音圈扭力环程控邦定压力、确保力控精准稳定,力控范围20-300g;  

高柔性: 多吸嘴切换,处理多种不同尺寸芯片;

支持6寸晶圆环,支持华夫盒、 gelpak等芯片来料;  

标配蘸胶系统,可选配针筒点胶模块;

数字式漏晶检测,报警或自动重新拾取芯片功能; Postbond取放精度检测统计;

机台软件易用,编程/转线简单快捷。

WFD18H-EDB

性能参数

项目配置与参数
贴装工艺共晶/固晶(蘸胶、多芯片)
应用场景COC / COS
贴片周期<10S(依赖于具体应用),不含共晶温度曲线
贴装精度位置XY±1.5μm(标准片) ±3μm(依赖于具体应用)
物料规格芯片尺寸(L-W-H)Min: 0.2 x 0.2 x 0.075mm Max: 2.5 x 2.5 x 1.0mm
基板尺寸(L-W-H)Min: 0.6 x 0.35 x 0.3mm Max: 12.0 x 12.0 x 3.0mm框架: Min: 50 x 0 x 0.7mm Max: 200 x 100 x 1.6mm
供料装置芯片供料3个6寸Wafer Ring / 或4X2寸Waffle pack(Gel-pak)更换,可定制托盘
基板供料1个6寸Wafer Ring/或4X2寸Waffle pack(Gel-pak)/料盒传输(可根据产品需求定制尺寸)
固晶系统顶针模组一套,单顶针
焊头/ 吸嘴取晶邦头3支吸嘴,固晶邦头3支吸嘴(多吸嘴自由切换)
键合力控音圈扭力环程控,力控范围20-300g±5g
点胶系统蘸胶自定义编程点胶,蘸胶针可根据产品需求定制(形状、尺寸)
温控系统加热方式脉冲加热
温控范围室温23℃ ~ 450℃
升温速率50-80℃/S
降温速率≥50℃/S (450℃-200℃)

共晶区域陶瓷平台14 X 14mm (可定制其他尺寸)

共晶过程氮气保护,多段温控曲线

监控反馈双闭环温度(动态补偿,不过冲)
视觉系统配置4个下视(固晶相机4X、中转相机4X、晶圆相机2X、下料相机2X)1个上视(上视相机4X)
光源配备可编程准直白光、环形RGB三色光
设备/ 能源重量1500KG
尺寸(L-W-H)18000mm * 1600mm * 1730mm(不含三色灯及FFU)
电源220V 50Hz 3.2KW
压缩空气压力 ≥ 0.5Mpa 接管口径: 8mm
氮气压力 ≥ 0.5Mpa 接管口径: 8mm


万福达专注于半导体封装测试设备的
设计、制造与销售

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