半导体
WFD22Z手动脉冲共晶机
产品特点
高位置精度 ： 贴装精度±1.5μm(标准片） ， 重复精度±0. 5μm ，支持亚微米级光通器件高密度键合；
高力控精度 ： 压力范围0. 1 -50N ，控制精度±0. 1 N ，适配激光器芯片 、硅光芯片等超薄/异形器件；
高温控精度： 温控精度±0. 5 ℃ , 温度均匀性±1. 5 ℃ ;
产品优势：
● 高位置精度 ： 贴装精度±1.5μm(标准片） ， 重复精度±0. 5μm ，支持亚微米级光通器件高密度键合；
●高力控精度 ： 压力范围0. 1 -50N ，控制精度±0. 1 N ，适配激光器芯片 、硅光芯片等超薄/异形器件；
●高温控精度： 温控精度±0. 5 ℃ , 温度均匀性±1. 5 ℃ ;
●共晶模块采用脉冲加热方式，多段温控， 实时监控动态补偿， 支持快速升温（10℃/s）与精准降温（ 5 ℃/s ） ，避免热冲击导致的材料变形；
●适用材料与兼容性： 支持金锡（AuSn）、银浆 、 环氧胶等多种键合材料 ，兼容陶瓷基板 、硅基板 、玻璃基板。
应用领域：
适用于研发及实验室端的光通芯片 、激光雷达 、射频 、 功率 、 图像传感 、 MEMS等领域的高精度键合/堆叠。
| 项目 | WFD22Z | |
| 贴装工艺 | 胶工艺 ， 共晶 | |
| 机器性能 | XY位置精度 | ±1.5μm |
| 角度精度 | ±0 . 3° | |
| 芯片处理能力 | 芯片大小 | 最小100μm ，华夫盒/凝胶盒上料,其他范围可定制 |
| 基板处理能力 | 基板尺寸 | 50-200mm,其他范围可定制 |
| 工作行程 | X轴 | 400 mm |
| Y轴 | 200mm | |
| Z轴 | 100mm | |
| 共晶平台加热 | 加热方式 | 脉冲加热 |
| 温控精度 | 温控精度±0.5℃ 温度均匀性±1.5℃ | |
| 温度范围 | 室温-450℃ | |
| 邦头加热（选配） | 温度范围 | 室温-450℃ |
| 力控能力 | 压力范围 | 0. 1 -50N |
| 控制精度 | 0. 1 N | |
| 机器尺寸和重量 | 尺寸 | 1000x 1000 x 1400 mm （不含显示器 、 三色灯及FFU） |
| 重量 | ≈300 Kg | |
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40088-69-269